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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
46
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2653
2660
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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