Confronto tra le RAM Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 46

Intorno 22% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 15

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.4 11.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2653 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns