Comparación de la memoria RAM Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 46

En 22% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.4 11.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2653 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns