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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
46
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2653
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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