Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 46
    Около 22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 46
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.3 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2653 left arrow 2660
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения