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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
46
读取速度,GB/s
15.0
16.0
写入速度,GB/s
11.3
12.4
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2653
2660
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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