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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
総合得点
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
46
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
11.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
46
読み出し速度、GB/s
15.0
16.0
書き込み速度、GB/秒
11.3
12.4
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2653
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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