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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
54
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
47
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1943
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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