RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
58
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
58
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2658
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link