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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
54
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2288
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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