Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 54
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 1,308.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    54 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,573.5 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,308.1 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    371 left arrow 2288
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения