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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
72
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
72
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1593
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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