RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
72
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
72
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1593
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link