RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Comparar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
68
Por volta de -45% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
47
Velocidade de leitura, GB/s
4,540.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,636.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
827
2486
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link