RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
2182
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link