RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2182
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link