RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
3537
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link