Comparação RAM Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Pontuação geral

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 28

Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.4 11.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.5 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 10600

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1578 1836

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns