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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1578 left arrow 1836

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