RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
72
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3638
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link