RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
72
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
2427
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link