Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 14.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 72
    Por volta de -140% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 1,938.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 6400
    Por volta de 3.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    72 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 14.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,938.7 left arrow 9.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    677 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações