RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
72
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2374
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link