RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3327
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link