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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3327
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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