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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
40
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
21
读取速度,GB/s
13.6
17.9
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
3167
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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