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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
7.7
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2893
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB RAM的比较
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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