RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
72
Por volta de -177% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
2382
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link