RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
64
Por volta de -129% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3437
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link