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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
7.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2154
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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