RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
64
Por volta de -121% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2635
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link