RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
64
Por volta de -78% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
10.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2490
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS512MSK64V3N 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link