RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
64
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
55
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
7.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2078
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link