RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
64
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
55
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2078
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link