RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2960
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link