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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
18.0
写入速度,GB/s
2,123.3
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2960
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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