RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2960
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link