RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2960
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link