RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
64
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2322
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link