RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2204
2288
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link