RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2204
2288
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link