Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Por volta de -50% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.9 left arrow 6.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 11.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    6.0 left arrow 7.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1396 left arrow 1920
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações