RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
11.8
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1920
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link