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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
75
Por volta de 44% menor latência
Razões a considerar
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
75
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
1548
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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