RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2214
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link