RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
49
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2534
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link