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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2594
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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