Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 47
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 5.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    45 left arrow 47
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.0 left arrow 9.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 5.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2079 left arrow 1413
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RAM 1
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