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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
79
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
79
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
1651
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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