RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3912
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link