RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2701
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link